Samsung 850 EVO M.2 250 GB

Popis produktu

SAMSUNG 850 EVO M.2 SSD 250GB SATA3 6GB/s (čtení max. 540MB/s, zápis max. 500MB/s, - Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše. Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD). SPECIFIKACE: Základní funkce Aplikace: Klientské PC Kapacita: 250 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech) Typ zařízení: M.2 Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s Rozměry (WxHxD): Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm) Váha: Max. 6,8 g Storage Memory: 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung Controller: Řadič MGX Samsung Cache Memory: Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung Speciální funkce TRIM Support: Podpora TRIM S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T GC (Garbage Collection): Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti Encryption Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk) WWN Support: Podpora adresy WWN (World Wide Name) Device Sleep Mode Support: Ano Výkon Sequential Read: Rychlost sekvenčního čtení až 540 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Sequential Write: Rychlost sekvenčního zápisu až 500 MB/s, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Random Read (4KB, QD32): Rychlost náhodného čtení až 97.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Random Write (4KB, QD32): Rychlost náhodného zápisu až 89.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Random Read (4KB, QD1): Rychlost náhodného čtení až 10.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Random Write (4KB, QD1): Rychlost náhodného zápisu až 40.000 IOPS, Výkon se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Environment Average Power Consumption (system level): Průměr: 2,4 W Maximum: 3,7 W (režim max. rychlosti), Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Power consumption (Idle): Max. 50 mW, Skutečná spotřeba energie se může lišit podle hardwaru a konfigurace systému Allowable Voltage: Přípustné napětí 5 V ± 5% Reliability (MTBF): Spolehlivost po dobu 1,5 mil. hodin (MTBF) Shock: 1.500 G a 0,5 ms (poloviční sinus) Pětiletá omezená záruka nebo omezená záruka 75 TBW SS