Samsung 850 EVO mSata 1000 GB
Samsung 850 EVO mSata 1000 GB

Samsung 850 EVO mSata 1000 GB

SAMSUNG 850 EVO mSATA SSD 1TB SATA3 6GB/s (čtení max. 540MB/s, zápis max. 520MB/s, - Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu a odolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje…
Produkt již neprodává žádný obchod na Srovnáme.cz, ale máme pro vás podobné.

Specifikace

Klíčové vlastnosti

Název produktu: Samsung 850 EVO mSata 1000 GB
Výrobce: Samsung
Průměrné hodnocení uživatelů: 0,00 bodů z 5
Hodnocení:
0

Popis produktu

SAMSUNG 850 EVO mSATA SSD 1TB SATA3 6GB/s (čtení max. 540MB/s, zápis max. 520MB/s, - Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu a odolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše. Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD). Kapacita 1TB Rozhraní Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s Rozměr (50,80 ± 0,15) x (29,85 ± 0,15) x max. 3,85 (mm) 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung Řadič MGX Samsung Rychlost sekvenčního čtení až 540 MB/s Rychlost sekvenčního zápisu až 520 MB/s Rychlost náhodného čtení až 95.000 IOPS (4KB, QD32) Rychlost náhodného zápisu až 88.000 IOPS (4KB, QD32) Pětiletá omezená záruka nebo omezená záruka 150 TBW SSD disk mSATA, čtení až 540MB/s, zápis až 520MB/s. Unikátní a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND je průlom překonávající omezení ve výkonu a vytrvalosti dnešní konvenční NAND architektury. Paměťové buňky jsou naskládány v až 32 vrstvách a díky tomu se výrazně zvyšuje hustota paměťových buněk, což mimo jiné znamená větší úložný prostor za nižší náklady.VypnutoVynechat z LightBoxuTechnologie budoucnostiUnikátní a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND je průlom překonávající omezení ve výkonu a vytrvalosti dnešní konvenční NAND architektury. Paměťové buňky jsou naskládány v až 32 vrstvách a díky tomu se výrazně zvyšuje hustota paměťových buněk, což mimo jiné znamená větší úložný prostor za nižší náklady.VypnutoVynechat z LightBoxuDosáhněte maximaDosáhněte maximálního výkonu čtení i zápisu a zvyšte výkon svého počítače s t • Technické parametry •Kapacita: 1 TB •Formát: mSATA •Rozraní: SATA 6Gb/s •Rozměry: 29.85 x 50.80 x 3.85 (mm) •Hmotnost: 8,5g •Paměť: Samsung 32 layer 3D V-NAND •Řadič: Samsung MGX Controller •Cache: Samsung 1 GB Low Power DDR2 SDRAM •MTBF: 1.5 Mil. • Rychlost čtení a zápisu dat •Sekvenční čtení: Až 540 MB/sec •Sekvenční zápis: Až 520 MB/sec •Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 97,000 IOPS •Náhodné zápis (4KB, QD32): Až 88,000 IOPS •Náhodné čtení (4KB, QD1): Až 10,000 IOPS •Náhodné zápis (4KB, QD1): Až 40,000 IOPS • Speciální funkce •TRIM •S.M.A.R.T •Auto Garbage Collection Algorithm •Šifrování: AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) •World Wide Name •Device Sleep Mode Support • Více na: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/html/ssd850evo/overview mSATA.html • V

Recenze

Celkové hodnocení

0
0%
5
0x
4
0x
3
0x
2
0x
1
0x

Váš názor nás zajímá!

Hodnocení je od spotřebitelů, kteří produkt zakoupili.